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      上海蒲柘光电仪器有限公司

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      技术文献

      用体视显微镜观察碳化硅单晶微管的分布

      来源:上海蒲柘光电仪器有限公司 作者:上海蒲柘光电 日期:2020-06-30 21:39:48

      单晶微管时碳化硅单晶生长中不可避免出现的缺陷。微管缺陷的存在会大大影响器件的性能。在研究中除了设法降低微管缺陷的数量外,对微管缺陷进行表征也很重要。通过对 SiC化学腐蚀前后的微管缺陷数量进行对比,可以得出一些有益的结论。

      观察分析碳化硅单晶微管的分布常用的显微镜体视显微镜
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